Memorias RAM - Tipos de Memoria e Velocidades

Memória de acesso aleatório (do inglês Random Access Memory, frequentemente abreviado para RAM) é um tipo de memória que permite a leitura e a escrita, utilizada como memória primária em sistemas electrónicos digitais.
O termo acesso aleatório identifica a capacidade de acesso a qualquer posição em qualquer momento, por oposição ao acesso sequencial, imposto por alguns dispositivos de armazenamento, como fitas magnéticas.
O nome não é verdadeiramente apropriado, já que outros tipos de memória (como a ROM) também permitem o acesso aleatório a seu conteúdo. O nome mais apropriado seria Memória de Leitura e Escrita.


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A velocidade de funcionamento de uma memória é medida em Hz ou MHz. Este valor está relacionado com a quantidade de blocos de dados que podem ser transferidos durante um segundo. Existem no entanto algumas memórias RAM que podem efectuar duas transferências de dados no mesmo ciclo de clock, duplicando a taxa de transferência de informação para a mesma frequência de trabalho. Além disso, a colocação das memórias em paralelo (propriedade da arquitectura de certos sistemas) permite multiplicar a velocidade aparente da memória.


Detecção e Correcção de Erro (Error Checking and Correcting - ECC):

Memórias do tipo ECC vai um pouco mais além do que memórias com paridade, pois automaticamente checa e corrige erros tipo "single-bit" (que correspondem a grande maioria de erros), sem parar o sistema.

Memórias tipo ECC requerem maiores recursos do que a memória com paridade para armazenar dados e causam uma degradação de performance de aproximadamente 3% no subsistema de memória, porém o resultado em detecção e correcção de erros conseguida, principalmente em sistemas críticos, é um benefício que vale a troca.

Normalmente este tipo de memória é utilizada em Servidores, Estações de alto desempenho, controles industriais, e sistemas envolvidos na área de negócios críticos.

O EOS, é um tipo especial de memória ECC que realiza analises ao erro e corrige no próprio empacotamento SIMM da memória. A performance não é impactada, pois oferece a função de ECC para sistema sem o controlador de memória ECC.



DRAM - Dynamic random access memory

DRAM é um tipo de memória RAM de acesso directo que armazena cada bit de dados num condensador ou Capacitor. O número de electrões armazenados no condensador determina se o bit é considerado 1 ou 0. Como vai havendo fuga de electrões do condensador, a informação acaba por se perder, a não ser que a carga seja actualizada periodicamente.
Embora esse fenómeno da perda de carga não ocorra nas memórias RAMs estáticas (SRAM), as DRAMs possuem a vantagem de terem custo muito menor e densidade de bits muito maior, possibilitando em um mesmo espaço armazenar muito mais bits (o que em parte explica o menor custo) e a sua simplicidade estrutural com apenas um transistor e um capacitor necessários para cada bit (ao contrário dos 4 transistores da SRAM).

SDR SDRAM


Single Data Rate Sincronous Dynamic Random Access Memory ou SDR SDRAM é um equipamento ou hardware de computador destinado a funcionar como memória volátil do sistema. Ela é uma memória que envia 1 dado por pulso de clock.

SDRAM não é um tipo de memória e sim um padrão. Existem 4 tipos de memórias com esse padrão:

•SDR SDRAM: 1 dado por pulso de clock.
•DDR, DDR2 e DDR3 SDRAM: 2 dados por pulso de clock.

Veio para substituir as memórias EDO que não era sincronizadas e tinham que esperar um tempo para entregar o dado pedido pelo processador, assim tornando a SDR SDRAM muito mais rápida. A memória SDR SDRAM também trouxe uma novidade, que em vez de um grande banco de dados unificado, ela dividiu em 2, 4 ou 8. Utilizada no Pentium I, II e III e no antigo Athlon. Obteve-se a necessidade de uma substituta, pela dificuldade de atingir clocks maiores, assim foi criada a memória DDR.

Existem 3 tipos de SDR SDRAM

•PC66: Trabalha na frequência de 66Mhz;
•PC100: Trabalha na frequência de 100Mhz;
•PC133: Trabalha na frequência de 133Mhz

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DDR SDRAM

DDR SDRAM ou double-data-rate synchronous dynamic random access memory (memória de acesso aleatório dinâmica síncrona de dupla taxa de transferência) é um tipo de circuito integrado de memória utilizado em computadores, derivada das muito conhecidas SDRAM e combinada com a técnica DDR, que consiste em transferir dois dados por pulso de clock, obtendo assim, teoricamente, o dobro de desempenho em relação a técnica tradicional de transferência de dados quando operando sob a mesma frequência de clock.

A DDR SDRAM foi criada para ter o dobro de desempenho em relação às memórias existentes (que passaram a ser chamadas SDR SDRAM) sem aumentar o clock da memória.
A memória DDR SDRAM alcança uma largura de banda maior que a da SDR SDRAM por usar tanto a borda de subida quanto a de descida do clock para transferir dados, realizando efectivamente duas transferências por ciclo de clock. Isto efectivamente quase dobra a taxa de transferência sem aumentar a frequência do barramento externo. Desta maneira, um sistema com SDRAM tipo DDR a 100 MHz tem uma taxa de clock efectiva de 200 MHz.

Alguns modelos de DDR SDRAM: PC1600 ou DDR200 - 200 MHz clock anunciado, 100 MHz clock real. PC2100 ou DDR266 - 266 MHz clock anunciado, 133 MHz clock real. PC2700 ou DDR333 - 333 MHz clock anunciado, 166 MHz clock real. PC3200 ou DDR400 - 400 MHz clock anunciado, 200 MHz clock real.


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Dual-Channel

Um dos motivos pelos quais os computadores não alcançam todo seu perfomance é a lentidão das memórias por operarem com frequências muito inferiores aos da CPU deixando-a ociosa enquanto espera algum dado da memória. O problema é que dificilmente as memórias alcancem um dia às mesmas frequências de processadores. Enquanto vemos processadores operando a mais de 3 GHz, as memórias continuam com 400 MHz.
Uma solução para minimizar esse problema é a memória Dual-Channel. Essas memórias, ao invés de fazerem comunicação com o processador transferindo 64 bits, ou 8 bytes por vez, transferem 128 bits, ou 16 bytes por vez. Isso significa que elas transmitem o dobro de dados por transferência duplicando sua capacidade em relação às outras memórias.
Assim, uma DDR-400, que opera a um clock real de 200 MHz, realiza duas transferências por ciclo, transferindo 64 bits, tem taxa de transferência máxima de 3.200 MB/s. Sendo ela Dual-Channel, os acessos a memória serão de 128 bits fazendo com que sua taxa de transferência máxima seja 6.400 MB/s.

DDR2 SDRAM

A DDR2 SDRAM ou DDR2, é uma evolução ao antigo padrão DDR SDRAM, conforme homologação da JEDEC. A nova tecnologia veio com a promessa de aumentar o desempenho, diminuir o consumo eléctrico e o aquecimento, aumentar a densidade e minimizar a interferência electromagnética (ruído). São esperados módulos de até 4GB de memória.


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DDR3 SDRAM

Em engenharia electrónica, DDR3 SDRAM ou Taxa Dupla de Transferência Nível Três de Memória Síncrona Dinâmica de Acesso Aleatório é uma interface de memória de acesso aleatório – RAM (Random Acess Memory) – usada para o grande armazenamento de dados utilizados em computadores ou outros dispositivos electrónicos. É uma das várias implementações de RAM síncrona e dinâmica (SDRAM, Syncronous Dynamic RAM), ou seja, trabalha sincronizada com os ciclos de clock da placa-mãe, sem tempo de espera.
DDR3 SDRAM é uma melhoria sobre a tecnologia precedente DDR2 SDRAM. O primeiro benefício da DDR3 é a taxa de transferência duas vezes maior que a taxa da DDR2, de modo que permite taxas de barramento maiores, como também picos de transferência mais altos do que as memórias anteriores.